1月7日，中国科学院深圳先进技术研究院先进电子材料研究所（筹）第一期学术讲座在B810会议室顺利召开，此次讲座特别邀请中国科学院金属研究所刘志权研究员作题为“微电子封装的界面失效机制与可靠性研究”的学术报告，会议由先进材料研究中心朱朋莉研究员主持。参加此次报告会的有集成所副所长、先进材料研究中心主任孙蓉研究员，生物材料中心喻学锋研究员以及相关研究领域的青年学者、学生等。 

　　刘志权在报告中，以金属互连界面为主题，系统讲解了低温共晶SnBi和SnIn焊料与Cu的界面反应、不同温度下的Cu-Sn及Cu-In化合物（IMC）可逆生长转变等内容。他通过分析其中的界面反应和元素扩散机制，发现了两种焊料界面柯肯达尔孔洞的来源和形成机制；其次，他以开发的铁基薄膜为UBM材料，通过推球、热循环、电迁移的可靠性实验，系统评价了其与SAC互连的焊点可靠性，并从界面反应机制、化合物转变、元素扩散、缺陷形成、失效模式等几个方面澄清了相关机理。最后，刘志权介绍了课题组在引线键合及TSV填充方面取得的最新研究成果。 

刘志权研究员作报告