6月5日下午，应中国科学院深圳先进技术研究院先进材料中心孙蓉研究员邀请，中国科学院微电子研究所资深高级工程师王大海来到深圳先进技术研究院交流，并在B100会议室为大家带来了题为《高频高压器件在中科院微电子研究所的“安家落户”》的精彩报告。报告会由先进材料中心张国平研究员主持。 

　　王大海高级工程师是微电子所高频高压器件与集成研发中心副主任，从事微纳米加工将近二十年，经验丰富。高频高压器件与集成研发中心是国内最早开展化合物半导体器件和电路研究的单位之一，建立了国内第一条4英寸化合物实验线，并引领着该研究领域的发展方向。 

　　王大海详细介绍了微电子研究所发展历史及现状，高频高压研发中心科研工作现状、研究成果及未来发展方向。他在报告中指出，高频高压研发中心致力于打造国内化合物半导体电路级器件的高端产品研发平台，技术转移转化共享平台和技术服务共享平台，推动我国高频高压器件和电路的发展。 

　　报告中，王大海还介绍了高频高压器件与集成研发中心GaN功率器件新结构、新工艺和Ku波段（12~18GHz）内匹配器件等科研成果以及目前能够提供的共享型化合物半导体工艺与测试平台和工艺平台能力评估与建设等服务。在互动环节中，王大海与在座师生进行了良好的互动，耐心、详细地解答了听众们的提问，并给予了宝贵的建议与指导。他表示，高频高压器件与集成研发中心与深圳先进院先进材料中心在很多方面可以优势互补，联手为我国化合物半导体器件和电路的发展做贡献。

王大海报告现场